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本文通过对锑化铟晶片进行高温加速试验来测量不同时间点的几何参数、表面粗糙度、位错密度和电学参数，从而获得锑化铟晶片在高温加速贮存下性能的变化。

这项研究系统地介绍了基于InSb材料人们为改进不足所开展的新型材料及其光电响应方面的研究结果。