基于原位掺杂和浅台面型架构的短波红外InGaAs光电二极管
这项研究介绍了用于短波红外传感的浅台面型光电二极管的完整设计、制造和表征。对于InGaAs光电二极管的制造而言,关键工艺步骤是通过在N型堆叠中创建P区来定义每个像素。以往的研究报道了多种替代方案,包括Zn扩散、Be离子注入以及浅台面型架构。
这项研究介绍了用于短波红外传感的浅台面型光电二极管的完整设计、制造和表征。对于InGaAs光电二极管的制造而言,关键工艺步骤是通过在N型堆叠中创建P区来定义每个像素。以往的研究报道了多种替代方案,包括Zn扩散、Be离子注入以及浅台面型架构。
作为一种具有传统刚性光电探测器高性能的基于III-V材料的柔性光电探测器,人们可以设想它将在从可见光到短波红外范围的新型生物集成光电系统、柔性消费电子产品和可穿戴传感器中发挥重要作用。
据麦姆斯咨询报道,近日,中国科学技术大学光学与光学工程系教授王亮课题组设计并制备的InGaAs(砷化铟镓)单光子探测器芯片取得了重要进展。
短波红外探测器在军事和民用领域都有着广阔的应用需求,前者重在需要更高灵敏度、更高像元密度、更大面阵的产品;而民用领域的应用则需要成本低廉、集成简单的产品。
上海交通大学的研究人员设计了一款以InAs和GaSb为超晶格的SESAM,并利用带隙和势阱之间的强耦合改变了结构的可饱和吸收波长,使其工作波长扩展到了3~5 μm的范围。
巨哥科技近日发布SW640短波红外相机,采用InGaAs焦平面传感器,响应波长900~1700nm,积分时间微秒级,可观测高速运动物体,并结合AI智能算法,为实时在线检测提供了有效的机器视觉手段。
全球领先的自动驾驶汽车激光雷达供应商Luminar收购其独家铟镓砷(InGaAs)探测器芯片设计和制造合作伙伴OptoGration公司。随着Luminar与其OEM客户合作将Iris激光雷达推入量产,此次收购获得的专业核心知识产权(IP),可以确保其供应链更加稳固。
俄罗斯莫斯科国立电子技术学院国家技术倡议“感官科学”中心研发出一项基于异质结构的红外光电探测器模块(InGaAs)技术。使用该技术可以让相机像蛇和蚊子一样“看见”红外区域,因此形象地称为“蛇眼视觉”技术。
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