分子束外延碲镉汞技术是制备第三代红外焦平面探测器的重要手段，基于异质衬底的碲镉汞材料具有尺寸大、成本低、与常规半导体设备兼容等优点，是目前低成本高性能红外探测器发展中的研究重点。

传统的长波碲镉汞红外焦平面器件一般基于n-on-p结构。与n-on-p材料相比，p-on-n材料具有更低的暗电流和更高的工作温度，更适于长波以及高温工作碲镉汞红外焦平面器件。

这项研究阐述了雪崩光电二极管（APD）原理及结构，重点对近年来国外相关研究进展及应用情况进行了介绍，并对国内研究机构在碲镉汞APD仿真模拟、器件制备等方面的研究成果进行了总结。

HgxCd1-xTe材料具有优异的光电特性，是制备高灵敏度红外探测器的最重要材料之一。HgxCd1-xTe薄膜表面钝化工艺对HgxCd1-xTe红外探测器的性能提升至关重要。