标签：红外探测器

本文对不同热处理退火工艺对HgCdTe材料的电学性能及位错密度的影响进行研究。

采用双色单铟柱结构的Ⅱ类超晶格红外探测器件在台面成型过程中加工难度大且易于产生损伤，影响器件的性能。针对此问题进行了低损伤、高深宽比Ⅱ类超晶格材料的台面刻蚀技术研究。

研究人员利用离子-测辐射热效应，结合太赫兹埋底天线设计，构建出一种新型红外-太赫兹宽谱探测器，借此极大提高了太赫兹探测器的响应性能。

对于关注器件饱和阈值的研究工作而言，拓展器件的线性响应范围，使其工作在大功率激光辐照下是器件的研制目标。

本文通过仿真计算与实验分析相结合，设计了基于Ⅱ类超晶格焦平面阵列探测器的多层背增透膜，确定了高低折射率膜层材料的选择，并通过仿真计算对膜层厚度进行了优化。

​该文章以MCT外延薄膜的主要质量问题及原因分析为出发点报道了昆明物理研究所在相关方面取得的研究进展，主要包括衬底质量的提升、外延薄膜质量的优化、衬底及外延尺寸提升以及对探测器技术的影响和支撑。