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北京理工大学光电学院胶体量子点研究团队聚焦于胶体量子点红外成像芯片技术，实现8英寸晶圆级短波红外及中波红外胶体量子点光电成像芯片制备，具有工艺简单、成品率高及便于民用普及等优点。

科研人员提出了一种基于单步制造工艺的红外焦平面阵列（FPA）的设计策略。该焦平面阵列依赖于专门设计的读出电路，可实现平面电场应用和光电导模式工作。科研人员展示了具有15μm像素间距的VGA格式焦平面阵列，其外部量子效率为4~5%（内部量子效率为15%）。

基于最优的PbS CQD光电二极管，团队进一步实现了国内首款PbS CQD成像芯片的制备，其分辨率为640×512，空间分辨率为40 lp/mm（MTF50），具有可与商用InGaAs成像芯片媲美的成像效果。

由于对铅（Pb）和汞（Hg）等有害元素的限制，量子点短波红外（QD-SWIR）图像传感器的应用受到了阻碍。这些限制刺激了科研领域对环保的胶体量子点的研究，其中如InAs和InSb等III-V族量子点，目前被认为是与短波红外应用最相关的量子点材料。