电子科技大学在MXene-GaN范德华结高性能多量子阱光电探测器取得进展
电子科技大学巫江教授领衔的光电传感与探测团队使用MXene代替传统金属,研发了一种基于MXene-GaN-MXene结构的InGaN/GaN多量子阱(MQW)光电探测器。
电子科技大学巫江教授领衔的光电传感与探测团队使用MXene代替传统金属,研发了一种基于MXene-GaN-MXene结构的InGaN/GaN多量子阱(MQW)光电探测器。
中国科学技术大学获悉,该校微电子学院龙世兵教授、孙海定研究员团队在氮化镓(GaN)半导体p-n异质结中实现了独特的光电流极性反转,即双向光电流现象。
上海技物所研究员利用超构单元像素级的光场多维度调控能力,基于与传统硅基半导体工艺兼容的全硅双折射超表面体系在中波红外范围实现了色散调控模式下的波片式偏振解耦宽带中红外成像光子器件,能够实现比昆虫复眼更小尺寸下的光场调控与成像。
近日,中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室胡敬佩副研究员和苏州大学合作,提出一种基于绝缘硅片的像素式超表面元件实现了近红外全斯托克斯偏振的探测。
这种与硅基集成电路工艺兼容的低成本红外探测器可以感知近红外和短波红外辐射,而以前传统的硅基光电二极管无法覆盖这两个光谱领域。
在长波器件方面,研发团队与中科院半导体所、兵器集团211所合作,研制出了高性能的 InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器。
中红外 (3~5 μm) 二阶非线性光学晶体作为固体激光器的核心器件,在军事和民用领域 (如激光通讯、红外对抗、红外遥测和医学诊断等) 具着重要的实际作用。
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