国内首款PbS量子点短波红外成像芯片,可媲美商用InGaAs成像芯片
基于最优的PbS CQD光电二极管,团队进一步实现了国内首款PbS CQD成像芯片的制备,其分辨率为640×512,空间分辨率为40 lp/mm(MTF50),具有可与商用InGaAs成像芯片媲美的成像效果。
基于最优的PbS CQD光电二极管,团队进一步实现了国内首款PbS CQD成像芯片的制备,其分辨率为640×512,空间分辨率为40 lp/mm(MTF50),具有可与商用InGaAs成像芯片媲美的成像效果。
浙江大学李强教授课题组提出了将电介质薄膜与亚波长的近零介电常数材料(ENZ)薄膜结合,利用法布里珀罗腔形成级联的Berreman模式,实现了全长波红外大气窗口的定向热辐射。
这项研究阐述了雪崩光电二极管(APD)原理及结构,重点对近年来国外相关研究进展及应用情况进行了介绍,并对国内研究机构在碲镉汞APD仿真模拟、器件制备等方面的研究成果进行了总结。
这项研究介绍了具有代表性的量子点、石墨烯、过渡金属硫化物和黑磷等新型探测器材料的基本结构、特点以及发展现状,并就未来发展方向和应用领域进行了预测。
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