这项研究介绍了用于短波红外传感的浅台面型光电二极管的完整设计、制造和表征。对于InGaAs光电二极管的制造而言,关键工艺步骤是通过在N型堆叠中创建P区来定义每个像素。以往的研究报道了多种替代方案,包括Zn扩散、Be离子注入以及浅台面型架构。