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本论文研究了Ⅱ类超晶格长波的表面处理工艺，同时利用侧壁栅控结构验证了表面漏电机制。

这项研究设计并制备了“强P-弱P-本征-弱N-强N”梯度堆叠的同质结器件，使量子点中波红外探测器的“背景限”工作温度提升了百开尔文，成功实现室温运行。

本文详述了磷锗锌激光源的最新研究和应用进展，分析了制约磷锗锌激光源发展的技术瓶颈，并对磷锗锌激光源在定向红外干扰系统中的应用前景进行了展望。

华北光电技术研究所研制了中长波双色二类超晶格红外探测器，制备出640×512中长波双色二类超晶格制冷型组件，器件性能良好。

分子束外延碲镉汞技术是制备第三代红外焦平面探测器的重要手段，基于异质衬底的碲镉汞材料具有尺寸大、成本低、与常规半导体设备兼容等优点，是目前低成本高性能红外探测器发展中的研究重点。

超二代像增强器生产成本低，性价比高，与三代像增强器相比性能差距不大，因此欧洲的像增强器产商选择了超二代像增强器技术的发展路线。

高工作温度碲镉汞红外探测器具有降低系统功耗、减小系统尺寸和重量、增加系统寿命等优点，可满足精确制导、单兵及无人平台光电系统、告警侦察等领域对高可靠性、高性能的低功耗焦平面探测器的需求。

传统的长波碲镉汞红外焦平面器件一般基于n-on-p结构。与n-on-p材料相比，p-on-n材料具有更低的暗电流和更高的工作温度，更适于长波以及高温工作碲镉汞红外焦平面器件。