鉴于现有技术的缺点，本发明提供了一种基于SOI（绝缘体上硅材料）量子点异质结的红外探测器制备方法，用于解决现有技术中Si基CMOS集成电路工艺复杂、容易对Si衬底造成污染且制成的红外探测器探测效率低等问题。