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由于对铅（Pb）和汞（Hg）等有害元素的限制，量子点短波红外（QD-SWIR）图像传感器的应用受到了阻碍。这些限制刺激了科研领域对环保的胶体量子点的研究，其中如InAs和InSb等III-V族量子点，目前被认为是与短波红外应用最相关的量子点材料。

上海科技大学宁志军教授课题组从材料复合和器件集成的角度综述了胶体量子点红外光电探测器的研究进展。

上海科技大学物质学院宁志军课题组以胶体量子点材料为基础，制备出一种新型、低成本、高探测率的红外上转换器件。该研究成果3月31日发表于《自然—电子学》。

CQD是一种尺寸仅为几纳米的半导体颗粒。它们可在溶液中合成，这意味着CQD薄膜可轻易沉积在一系列柔性或刚性衬底上。这种易于制造的特性使其成为极具成本竞争力的高性能光电探测器材料，并且易于与CMOS技术集成。