大立科技获320万元科研项目启动资金,非晶硅和氧化钒双技术路线并行发展
该项目是大立科技继连续多年承担非晶硅技术路线重大专项后,首次承担氧化钒技术路线相关研制任务,标志着公司在氧化钒技术路线相关研究成果得到国家认可。
该项目是大立科技继连续多年承担非晶硅技术路线重大专项后,首次承担氧化钒技术路线相关研制任务,标志着公司在氧化钒技术路线相关研究成果得到国家认可。
华北光电技术研究所研制了中长波双色二类超晶格红外探测器,制备出640×512中长波双色二类超晶格制冷型组件,器件性能良好。
高德红外日前发布公告称,公司及全资子公司湖北汉丹机电近日与客户集中签订了多个型号项目合同,合同金额合计约1.16亿元,占公司2021年经审计营业收入的3.32%。
传统的长波碲镉汞红外焦平面器件一般基于n-on-p结构。与n-on-p材料相比,p-on-n材料具有更低的暗电流和更高的工作温度,更适于长波以及高温工作碲镉汞红外焦平面器件。
新一代化合物半导体研制基地项目主要提供从锑化物晶片到探测器成像组件的全套解决方案,将全面提升我国红外探测器自主创新能力。
这项研究面从HgCdTe材料的基本物理性质出发,分析了HgCdTe探测器的优点,认为HgCdTe探测器依然是目前性能最好的红外探测器,且正在向多元化方向发展,包括大面阵、平面结和异质结、双波段、甚长波、150K级工作温度、雪崩探测器等。
科研人员提出了一种基于单步制造工艺的红外焦平面阵列(FPA)的设计策略。该焦平面阵列依赖于专门设计的读出电路,可实现平面电场应用和光电导模式工作。科研人员展示了具有15μm像素间距的VGA格式焦平面阵列,其外部量子效率为4~5%(内部量子效率为15%)。
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