光电探测器 – 第6页 – 红外新闻，见所未见

韩国研究者通过应变工程将硅的吸收极限突破至短波红外

韩国延世大学（Yonsei University）的Ajit K. Katiyar及其研究团队报告了应变引起的硅（Si）带隙收缩，该工艺促进了超出硅纳米膜基本极限的光电探测器（Si-NM PD）的发展。

由溶液法制备的一三五族量子点具有优异的光电特性，由于其化学易加工性，良好的稳定性，生物相容性，带隙可调和吸收系数高等优异特性，因此广泛应用在太阳能电池、光催化剂、光电探测器、热电荧光生物分子标签和发光二极管中。

美国弗吉尼亚大学和德克萨斯大学奥斯汀分校的电气与计算机工程师研发出性能创历史记录的雪崩光电二极管（APD），有望为下一代夜视成像和激光雷达（LiDAR）光电探测器带来变革性技术。

俄罗斯莫斯科物理技术学院研发出基于石墨烯异质材料的高信噪比远红外光电探测器，工作波长可拓宽到远红外和太赫兹波段，具有光灵敏度高、响应频率低、暗电流低等特点，与传统光电探测器相比，微弱信号探测能力更强。

依靠这种新技术研制的光电探测器响应率从每瓦4.8毫安提高至每瓦1500毫安，提高了近300倍；准非易失存储器的保持时间从10秒提高到100秒以上。

CQD是一种尺寸仅为几纳米的半导体颗粒。它们可在溶液中合成，这意味着CQD薄膜可轻易沉积在一系列柔性或刚性衬底上。这种易于制造的特性使其成为极具成本竞争力的高性能光电探测器材料，并且易于与CMOS技术集成。

近日，南京大学物理学院的缪峰教授课题组在Advanced Materials 上发表了综述文章，对基于范德华异质结的高性能器件应用进行了综述。

据麦姆斯咨询报道，杜克大学研究者已开发出一种可在单芯片完成的新型广谱光电探测器。该光电探测器是通过由电磁材料制成的片上光谱滤光片来实现广泛的光频率范围。其热像仪是基于等离子技术制造而成，利用纳米级物理现象来捕获特定频率的光。

在激光雷达（LiDAR）领域，滨松是世界上为数不多的可同时为车载激光雷达提供各类核心光学器件的企业，如激光器、MEMS微镜和光电探测器等，并不断优化性能，推进更高级别自动驾驶的实现。

据麦姆斯咨询介绍，上海丽恒光微电子科技有限公司的光电探测器特种芯片制造厂落成后，将形成光电探测器研发、设计、生产、封装、测试及应用等为一体的完整产业链。