光电探测器 – 第 4 页 – 红外新闻，见所未见

基于可调节透射腔的超高探测率的微型化可见-近红外光谱仪

德国德累斯顿工业大学的Karl Leo团队提出了一种新的方法，通过透射腔(transmission cavity)与三种小分子吸收材料结合，实现了全真空制备的光谱可调的窄带有机光电探测器。

电子科技大学巫江教授领衔的光电传感与探测团队使用MXene代替传统金属，研发了一种基于MXene-GaN-MXene结构的InGaN/GaN多量子阱(MQW)光电探测器。

中国科学技术大学获悉，该校微电子学院龙世兵教授、孙海定研究员团队在氮化镓（GaN）半导体p-n异质结中实现了独特的光电流极性反转，即双向光电流现象。

本研究工作表明了在原子层面构筑新材料、新器件的可行性，为原子尺度上操控新型拓扑态提供了新的方案。同时也为新型II型狄拉克半金属在光电探测的应用奠定了实验基础，预示了拓扑材料在成像、通讯等领域的巨大应用潜力。

全球领先的自动驾驶汽车激光雷达供应商Luminar收购其独家铟镓砷（InGaAs）探测器芯片设计和制造合作伙伴OptoGration公司。随着Luminar与其OEM客户合作将Iris激光雷达推入量产，此次收购获得的专业核心知识产权（IP），可以确保其供应链更加稳固。

据麦姆斯咨询报道，上海丽恒子公司——浙江珏芯微电子有限公司研制的新型640 x 512红外探测器，获得中国航天科工二院二十五所认证，并且承接了该所某型号特种光电探测器的研制任务。

加州大学圣地亚哥分校开发的短波红外图像传感器将光电探测器和显示组件集成于一体。多个半导体层相互堆叠，每个半导体层的厚度约几百纳米。其中三层由不同的有机聚合物制成：光电探测器层、OLED显示层，以及位于光电探测器和OLED显示层之间的阻挡电子层。

中科院长春光机所近期综述了基于二维材料的中红外光探测器的发展，文章发表在Wiley旗下Nano select期刊。文章介绍了基于二维材料的中红外光探测器的应用潜力，总结了这一领域的发展现状和挑战。

德国德累斯顿应用物理和光子材料综合中心（IAPP）的物理学家发现，陷阱态决定了有机光电探测器的性能，并最终限制了它们的探测能力，相关研究成果已发表在Nature Communications上。

半导体研究院项目包括建设一条化合物半导体芯片工艺线和一条MEMS工艺线，满足研发、中试要求，并为烟台发展新型半导体产业提供平台支持。其中，化合物半导体芯片工艺线面向半导体激光器、光电探测器、微波器件以及功率器件；MEMS工艺线面向高端光学MEMS器件、RFMEMS器件和惯性MEMS传感器等。