据麦姆斯咨询报道，加州大学洛杉矶分校和英国卡迪夫大学的研究人员采用一种新方法解决了这个问题。科学家们发明的室温非制冷SWIR和MWIR探测器由垂直生长于磷化铟（InP）衬底的InAs或InAsSb纳米线阵列组成，使纳米线与衬底的结合产生InAs-InP异质结。