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该论文报道了室温工作的基于无毒胶体量子点的高性能红外光电探测器和短波红外图像传感器的开发。该研究描述了一种合成尺寸可调谐、无磷化氢的碲化银量子点的新方法，这种方法保留了传统含重金属量子点的优势特性，为在量产市场中引入短波红外胶体量子点技术铺平了道理。

中波红外量子点作为新型红外探测技术的研究热点，中波红外量子点材料的成功制备对量子点探测器在中波红外波段诸如军事国防、工业监控和环境监测等实际场景实现应用有着重大意义。

研究团队现已成功开发出一种不含重金属、基于铜铟硒化物（CISe）环保型量子点的超高性能量子点光电传感器，还将这种在聚合物基柔性衬底上制得的光电传感器与光源相结合，开发出一种可穿戴脉冲传感器。

本文分别从量子阱、量子点以及量子级联有源结构出发，综合评述了红外超辐射二极管近年来的研究进展。

这项研究提出了一种通过低温方法制造的柔性硫化铅胶体量子点（PbS CQD）光电二极管阵列，该阵列具有从X射线到近红外（NIR）波段的超宽带响应范围。该光电二极管的结构和厚度经过精心设计，可减少通过界面缺陷的载流子复合，并改善耗尽区的载流子产生。

大连物化所吴凯丰研究员团队在量子点光化学研究中取得新进展，实现了低毒性量子点敏化的近红外光至可见光的上转换，并将该体系与有机光催化融合，实现了高效快速的太阳光合成。

科研人员提出了一种基于单步制造工艺的红外焦平面阵列（FPA）的设计策略。该焦平面阵列依赖于专门设计的读出电路，可实现平面电场应用和光电导模式工作。科研人员展示了具有15μm像素间距的VGA格式焦平面阵列，其外部量子效率为4~5%（内部量子效率为15%）。

基于最优的PbS CQD光电二极管，团队进一步实现了国内首款PbS CQD成像芯片的制备，其分辨率为640×512，空间分辨率为40 lp/mm（MTF50），具有可与商用InGaAs成像芯片媲美的成像效果。

这项研究介绍了具有代表性的量子点、石墨烯、过渡金属硫化物和黑磷等新型探测器材料的基本结构、特点以及发展现状，并就未来发展方向和应用领域进行了预测。