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团队设计开发了蓝光芯片激发的半峰宽达305 nm的超宽带近红外LiInGeO4:Cr3+荧光材料，在光谱检测领域具有巨大的潜在应用前景。

基于FAPbI3的近红外LED器件获得了同类器件中创世界纪录的24.1%的外量子效率，还大大提高了器件的工作稳定性。

该论文的研究表明全介质超构透镜的聚焦特性可以通过相干控制（即通过改变超构透镜平面中的局部电磁场）进行切换，而无需改变纳米结构或周围介质的任何物理或几何特性。

这项研究提出并验证了一种具有大视场角的硅基二维光学相控阵。该组件采用专门设计的偏振转换辅助光学天线，可显著扩大操纵范围。改进后的光学天线基于干涉后辐射的原理，光束从单个光栅辐射出来。

这项研究简要概括了局域场增强型石墨烯近红外光电探测器的一些最新研究成果及其功能扩展。

该研究在二维材料光电探测领域取得新进展，成功研制了基于层状三元碲化物InSiTe3的光电探测器。

埃因霍芬理工大学的研究团队开发了一种新型近红外（NIR）光谱传感器，该传感器易于制造，并且尺寸与智能手机中的传感器相当，可用于工业过程监测及农业相关应用。这一突破性的研究成果已发表于Nature期刊。