北理工在红外光电探测器暗电流抑制技术方面取得新进展
这项研究开发了量子点带尾调控方法,通过单像素光电探测器及红外焦平面验证了该方法在暗电流和噪声抑制上的可靠性,在高性能胶体量子点红外光探测器发展中具有重要意义。
这项研究开发了量子点带尾调控方法,通过单像素光电探测器及红外焦平面验证了该方法在暗电流和噪声抑制上的可靠性,在高性能胶体量子点红外光探测器发展中具有重要意义。
根据该团队在Nature Photonics期刊上发表的论文显示,该胶体量子点以4.5%的量子效率发出5 μm的中红外光,接近商用外延级联量子阱发光二极管。通过进一步优化,该级联方法可能超越现有方法。
该项研究的突破能够极大地简化红外探测器制备流程,实现低成本、高工艺合格率、可大规模生产的高性能红外探测器,为红外探测器制备提供了一个全新的技术路线。
北京理工大学光电学院胶体量子点研究团队聚焦于胶体量子点红外成像芯片技术,实现8英寸晶圆级短波红外及中波红外胶体量子点光电成像芯片制备,具有工艺简单、成品率高及便于民用普及等优点。
这项研究设计并制备了“强P-弱P-本征-弱N-强N”梯度堆叠的同质结器件,使量子点中波红外探测器的“背景限”工作温度提升了百开尔文,成功实现室温运行。
北京理工大学唐鑫教授团队与中芯热成联合开发,完成了首个截止波段达到2.5微米及5微米的短波红外及中波红外成像芯片的研发。
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