为了提高探测器的PDP性能，这项工作提出了一种双雪崩区（DAR）SPAD，该SPAD通过掺杂优化扩展了雪崩倍增区。双雪崩区SPAD采用40 nm CMOS图像传感器（CIS）技术制备，这是迄今为止所报道的最先进的CMOS SPAD技术。

与2021年推出的上一代SPAD一样，这款近红外SPAD也基于X-FAB的180 nm XH018工艺。通过在制造工艺中增加额外的步骤显著增强了信号，同时仍然保持相同的低本底噪声，且不会对暗计数率、寄生脉冲和击穿电压等参数产生负面影响。

麦姆斯咨询深入分析了全球及中国SPAD专利发展现状及趋势，挖掘出SPAD领域的领导厂商、新进厂商和科研机构，并对其SPAD专利申请活动进行了统计与分析，从而为SPAD相关从业人员的技术调研、产品创新、产学研合作提供极有价值的参考资料。

研究人员开发了一种基于新的单光子雪崩二极管（SPAD）阵列探测器的装置，该阵列是为激光雷达（LiDAR）和医疗成像应用开发的。这些探测器具有多个独立的像素和专用的定时电路，这使得其能够以皮秒分辨率记录每个像素的探测时间。

以CMOS技术制备的SPAD凭借其低制造成本、可大规模量产以及与电路的单片集成能力等优势而备受关注。这项研究报道了一种利用55 nm双极型CMOS-DMOS（BCD）技术实现的SPAD。