与2021年推出的上一代SPAD一样,这款近红外SPAD也基于X-FAB的180 nm XH018工艺。通过在制造工艺中增加额外的步骤显著增强了信号,同时仍然保持相同的低本底噪声,且不会对暗计数率、寄生脉冲和击穿电压等参数产生负面影响。

该研究通过磁控溅射技术在n型Si衬底上制备了晶圆级碲纳米颗粒薄膜,并采用微纳光刻技术构建了基于Te/Si异质结的具有高像素密度和出色性能的近红外成像阵列。