综述:GaSb单晶研究进展
2023-11-07
本文介绍了GaSb晶体材料的性质和生长制备方法,梳理了国内外各机构的发展和研究进展,概述了GaSb在器件领域的应用情况,并对其发展前景和趋势进行了展望。
本文介绍了GaSb晶体材料的性质和生长制备方法,梳理了国内外各机构的发展和研究进展,概述了GaSb在器件领域的应用情况,并对其发展前景和趋势进行了展望。
新一代化合物半导体研制基地项目主要提供从锑化物晶片到探测器成像组件的全套解决方案,将全面提升我国红外探测器自主创新能力。
以InAs/InAsSb超晶格材料为基础的无Ga型Sb化物II类超晶格探测器,由于去除了Ga原子的缺陷,具有更高的少子寿命,有利于提高探测器性能。
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