综述:InAs/GaSb超晶格台面刻蚀工艺研究
2024-01-04
在红外探测器的制造技术中,台面刻蚀是完成器件电学隔离的必要环节。而对于结构复杂的焦平面阵列来说,一个Continue Reading
在红外探测器的制造技术中,台面刻蚀是完成器件电学隔离的必要环节。而对于结构复杂的焦平面阵列来说,一个Continue Reading
以InAs/InAsSb超晶格材料为基础的无Ga型Sb化物II类超晶格探测器,由于去除了Ga原子的缺陷,具有更高的少子寿命,有利于提高探测器性能。
上海交通大学的研究人员设计了一款以InAs和GaSb为超晶格的SESAM,并利用带隙和势阱之间的强耦合改变了结构的可饱和吸收波长,使其工作波长扩展到了3~5 μm的范围。
高德红外发布了获得装备总体生产资质的公告,资质的授予对高德具有非凡意义,公司从做芯片、配套光电系统的企业变成总体企业,对公司而言是跨时代的事件。
研究者首次在五晶体的级联中证明了基于晶体超晶格的非线性光学干涉仪。量子干涉引发的灵敏度增强使其成为传感、成像和光谱学的有前途的工具。
近日,上海光机所激光与红外材料实验室研究员张龙、研究员董红星领衔的微结构光物理研究团队与华东师范大学、湖南大学等机构合作在超晶格微腔量子应用领域研究中取得重要进展。
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