标签： 红外焦平面

本文设计并制作了一种用于锑化铟红外焦平面探测器的微透镜阵列，以提高探测光的汇聚效果。

本文主要利用MBE设备实现了硅基MCT的原位n型掺杂。

InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料因其带隙灵活可调、电子有效质量更大、大面积均匀性高等特点以及成本优势，成为制备双色探测器的优选材料。

该项研究的突破能够极大地简化红外探测器制备流程，实现低成本、高工艺合格率、可大规模生产的高性能红外探测器，为红外探测器制备提供了一个全新的技术路线。

综合考察二极管对电路以及器件性能的影响，进而指导小像素中二极管结构的设计具有必要性和重要性。

该研究在（211）B碲锌镉衬底上，采用分子束外延生长制备了PPP型中长双色碲镉汞材料，并通过台面孔刻蚀、侧壁钝化等工艺，实现中长双色640×512红外焦平面探测器组件研制。

高工作温度碲镉汞红外探测器具有降低系统功耗、减小系统尺寸和重量、增加系统寿命等优点，可满足精确制导、单兵及无人平台光电系统、告警侦察等领域对高可靠性、高性能的低功耗焦平面探测器的需求。

传统的长波碲镉汞红外焦平面器件一般基于n-on-p结构。与n-on-p材料相比，p-on-n材料具有更低的暗电流和更高的工作温度，更适于长波以及高温工作碲镉汞红外焦平面器件。