标签： 碲镉汞

本文主要利用MBE设备实现了硅基MCT的原位n型掺杂。

随着量子理论愈发完备、微电子技术体系更替、微纳加工技术快速迭代，新一代碲镉汞红外探测技术将迎来科学的复兴、技术的突破和工艺的蜕变。

本文对不同热处理退火工艺对HgCdTe材料的电学性能及位错密度的影响进行研究。

对于关注器件饱和阈值的研究工作而言，拓展器件的线性响应范围，使其工作在大功率激光辐照下是器件的研制目标。

目前，国内已经开展了碲镉汞线性雪崩焦平面器件的研制工作，但缺乏评价其性能的方法及标准，同时对其的应用仍然处于探索阶段。

​该文章以MCT外延薄膜的主要质量问题及原因分析为出发点报道了昆明物理研究所在相关方面取得的研究进展，主要包括衬底质量的提升、外延薄膜质量的优化、衬底及外延尺寸提升以及对探测器技术的影响和支撑。

该文章基于昆明物理研究所Au掺杂碲镉汞材料稳定性控制、器件暗电流控制等技术，报道了昆明物理研究所非本征Au掺杂长波碲镉汞器件研制进展。

本论文讨论了基于非平衡工作模式的碲镉汞 HOT 器件的基本原理、器件结构和研究进展，并展望了未来碲镉汞高温探测器的研究方向。