为了提高探测器的PDP性能，这项工作提出了一种双雪崩区（DAR）SPAD，该SPAD通过掺杂优化扩展了雪崩倍增区。双雪崩区SPAD采用40 nm CMOS图像传感器（CIS）技术制备，这是迄今为止所报道的最先进的CMOS SPAD技术。