综述:InAs/GaSb超晶格台面刻蚀工艺研究
2024-01-04
在红外探测器的制造技术中,台面刻蚀是完成器件电学隔离的必要环节。而对于结构复杂的焦平面阵列来说,一个Continue Reading
在红外探测器的制造技术中,台面刻蚀是完成器件电学隔离的必要环节。而对于结构复杂的焦平面阵列来说,一个Continue Reading
采用双色单铟柱结构的Ⅱ类超晶格红外探测器件在台面成型过程中加工难度大且易于产生损伤,影响器件的性能。针对此问题进行了低损伤、高深宽比Ⅱ类超晶格材料的台面刻蚀技术研究。
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