光电二极管 – 红外新闻，见所未见

基于原位掺杂和浅台面型架构的短波红外InGaAs光电二极管

这项研究介绍了用于短波红外传感的浅台面型光电二极管的完整设计、制造和表征。对于InGaAs光电二极管的制造而言，关键工艺步骤是通过在N型堆叠中创建P区来定义每个像素。以往的研究报道了多种替代方案，包括Zn扩散、Be离子注入以及浅台面型架构。

SWIR Vision Systems的新产品包括Acuros 6和Acuros 4 CQD短波红外图像传感器，具有630万像素和420万像素全局快门阵列。每款传感器都具有7微米像素间距、12位数字输出、低读取噪声和增强的量子效率，从而为各种应用提供出色的灵敏度和信噪比性能。

这项研究提出了一种通过低温方法制造的柔性硫化铅胶体量子点（PbS CQD）光电二极管阵列，该阵列具有从X射线到近红外（NIR）波段的超宽带响应范围。该光电二极管的结构和厚度经过精心设计，可减少通过界面缺陷的载流子复合，并改善耗尽区的载流子产生。

综合考察二极管对电路以及器件性能的影响，进而指导小像素中二极管结构的设计具有必要性和重要性。

Aeluma的平台将大直径晶圆制造与高性能化合物半导体相结合，为光电探测器的大规模市场应用提供了可能，并且，在不牺牲器件性能的前提下大幅降低了成本。

该研究着重对量子点的合成、红外光电探测器量子点薄膜及太阳能电池量子点薄膜的研究进展进行相应的分析与概述。

由于对铅（Pb）和汞（Hg）等有害元素的限制，量子点短波红外（QD-SWIR）图像传感器的应用受到了阻碍。这些限制刺激了科研领域对环保的胶体量子点的研究，其中如InAs和InSb等III-V族量子点，目前被认为是与短波红外应用最相关的量子点材料。

近日，澳大利亚墨尔本大学James Bullock教授等提出了一种法布里-珀罗（Fabry-Pérot）腔增强型bP/MoS2中波红外（MWIR）光电二极管。

Holst Center深耕基于有机光电二极管的大面积图像传感器领域，为可见光和X射线等波段研发了一系列传感器原型。如今，该技术平台扩展至近红外波段。该波段领域的光可以穿透皮肤，但会被血液中的血红蛋白吸收，因此非常适合静脉识别。

据麦姆斯咨询报道，韩国浦项科技大学（POSTECH）的研究团队从沙漏原理获得灵感，成功开发了一种能够增强近红外吸收率的光电二极管。