标签： Ⅱ类超晶格

本文采用机械抛光和机械化学抛光相结合的工艺减薄衬底，并系统研究机械化学抛光过程中抛光液pH值对衬底表面质量的影响。

InAs/GaSb T2SLs长波红外探测器的衬底材料有GaSb和InAs两种，本文系统报道了基于这两种衬底的器件结构设计的研究进展。

InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料因其带隙灵活可调、电子有效质量更大、大面积均匀性高等特点以及成本优势，成为制备双色探测器的优选材料。

采用双色单铟柱结构的Ⅱ类超晶格红外探测器件在台面成型过程中加工难度大且易于产生损伤，影响器件的性能。针对此问题进行了低损伤、高深宽比Ⅱ类超晶格材料的台面刻蚀技术研究。

本文通过仿真计算与实验分析相结合，设计了基于Ⅱ类超晶格焦平面阵列探测器的多层背增透膜，确定了高低折射率膜层材料的选择，并通过仿真计算对膜层厚度进行了优化。

本论文研究了Ⅱ类超晶格长波的表面处理工艺，同时利用侧壁栅控结构验证了表面漏电机制。

华北光电技术研究所研制了中长波双色二类超晶格红外探测器，制备出640×512中长波双色二类超晶格制冷型组件，器件性能良好。

本研究利用多种光谱测量手段对基于InAs/GaSb Ⅱ型超晶格的宽波段探测结构进行光学性质的研究。

本论文介绍了二类超晶格材料作为红外探测器的优势，国际上二类超晶格红外焦平面探测器的研究进展与技术发展历程，并分析国内二类超晶格红外探测器材料与器件研究中存在的技术问题。