电子科技大学在高效红外上转换成像器件取得进展
电子科技大学王军教授、陶斯禄教授针对这一挑战进行了探索。它们通过堆叠高性能有机红外探测器和界面exciplex有机发光单元,设计了一种红外上转换光电探测器,其宽带探测区域从400到1064 nm。
电子科技大学王军教授、陶斯禄教授针对这一挑战进行了探索。它们通过堆叠高性能有机红外探测器和界面exciplex有机发光单元,设计了一种红外上转换光电探测器,其宽带探测区域从400到1064 nm。
电子科技大学巫江教授领衔的光电传感与探测团队使用MXene代替传统金属,研发了一种基于MXene-GaN-MXene结构的InGaN/GaN多量子阱(MQW)光电探测器。
中国科学技术大学获悉,该校微电子学院龙世兵教授、孙海定研究员团队在氮化镓(GaN)半导体p-n异质结中实现了独特的光电流极性反转,即双向光电流现象。
上海技物所研究员利用超构单元像素级的光场多维度调控能力,基于与传统硅基半导体工艺兼容的全硅双折射超表面体系在中波红外范围实现了色散调控模式下的波片式偏振解耦宽带中红外成像光子器件,能够实现比昆虫复眼更小尺寸下的光场调控与成像。
近日,中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室胡敬佩副研究员和苏州大学合作,提出一种基于绝缘硅片的像素式超表面元件实现了近红外全斯托克斯偏振的探测。
创建于1962年的西安光机所是一个以战略高技术创新与应用基础研究为主的综合性研究所。50余年来,西安光机所圆满完成了“两弹一星”、载人航天等国家重大战略科研的相关任务,为科技创新进步做出突出贡献。
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